Low-α射線球形氧化鋁是一種低α射線指標(biāo)的納米級球形氧化鋁材料，其具有α射線含量低、導(dǎo)熱性高、絕緣性優(yōu)、粒徑分布可調(diào)、球形化率高、體積填充率高、磁性異物含量低等優(yōu)點(diǎn)，主要作為功能填料用于高性能或具有特殊用途的芯片封裝場景，屬于先進(jìn)芯片封裝材料之一。
Low-α射線球形氧化鋁主要是為了解決半導(dǎo)體器件中出現(xiàn)的軟誤差（軟錯誤、軟失效）現(xiàn)象而出現(xiàn)的一種先進(jìn)材料。軟誤差是指在設(shè)備正常工作狀態(tài)下，由于內(nèi)部軟件或系統(tǒng)錯誤而引起的性能或數(shù)據(jù)不一致現(xiàn)象，在半導(dǎo)體器件中，該現(xiàn)象主要來源于制造與封裝材料中存在的天然放射性元素（α射線），因此，為解決這一問題，使用Low-α射線封裝材料成為大勢所趨。
Low-α射線球形氧化鋁是Low-α射線封裝材料的一種，其主要通過無機(jī)酸溶液洗滌或高純金屬燃燒等工藝制備而成。無機(jī)酸溶液洗滌工藝是指使用無機(jī)酸（硝酸、硫酸等）溶解球形氧化鋁粉體中的鈾/釷元素（放射性元素）從而得到Low-α射線球形氧化鋁的過程；高純金屬燃燒工藝是指以高純鋁為原料，將其在高純石墨坩堝中熔化并霧化得到低Low-α射線鋁粉，再經(jīng)過含氧氣流燃燒生成Low-α射線球形氧化鋁的過程。
壹石通Low-α射線球形氧化鋁采用提純技術(shù)和無放射性污染的球形化技術(shù)制備而成，能夠滿足下游客戶對芯片封裝材料的高導(dǎo)熱、Low-α射線控制、納米級形貌等指標(biāo)要求。目前壹石通年產(chǎn)200噸高端芯片封裝用Low-α球形氧化鋁項(xiàng)目正在加速建設(shè)中，未來隨著項(xiàng)目加速落地，我國Low-α射線球形氧化鋁市場國產(chǎn)化水平有望持續(xù)提升。
新思界
行業(yè)分析人士表示，Low-α射線球形氧化鋁是一類具有低α射線含量、高導(dǎo)熱特性的功能填料，適用于高性能芯片封裝場景，可有效降低軟誤差發(fā)生幾率，在人工智能、大數(shù)據(jù)儲存、自動駕駛等領(lǐng)域有著廣闊的需求前景。2022年全球Low-α射線球形氧化鋁市場需求量已超1000噸，且未來3-5年內(nèi)，其市場將以超過5%的復(fù)合年增長率保持增長，行業(yè)發(fā)展空間廣闊。
