按照曝光波長不同，光刻膠可分為離子束光刻膠、電子束光刻膠、X射線光刻膠、深紫外光刻膠、紫外光刻膠以及極紫外光刻膠。極紫外光刻技術是一種先進半導體光刻技術，通常采用13.4納米波長的紫外線作為光源。極紫外光刻膠又稱EUV光刻膠，具有化學穩(wěn)定性好、熱穩(wěn)定性佳、敏感性高等優(yōu)勢，是一種專用于極紫外光刻技術中的光刻膠。
根據新思界產業(yè)研究中心發(fā)布的《
2024-2029年中國極紫外光刻膠（EUV光刻膠）行業(yè)市場深度調研及發(fā)展前景預測報告》顯示，極紫外光刻膠主要應用于極紫外光刻技術中，集成電路領域為其主要需求端。受益于技術進步，我國大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路市場占比不斷提升，產品在滿足本土市場需求的同時，遠銷海外眾多國家。未來伴隨下游行業(yè)發(fā)展速度加快，極紫外光刻膠市場空間將進一步擴展。
我國極紫外光刻膠行業(yè)尚處于起步階段，以實驗室研發(fā)為主，未實現商業(yè)化應用。目前，我國已布局極紫外光刻膠行業(yè)研發(fā)賽道的企業(yè)及科研單位包括中國科學院理化技術研究所、中國科學院化學研究所、九峰山實驗室、大連理工大學、華中科技大學、清華大學、廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院、科華微電子等。
2024年3月，我國華中科技大學科研團隊與九峰山實驗室研究人員合作，共同開發(fā)出雙非離子型光酸協(xié)同增強響應技術（CAP），使用該技術制成的極紫外光刻膠具有線邊緣粗糙度低、光穩(wěn)定性好、分辨率高等優(yōu)勢，有望在半導體連續(xù)化制造過程中獲得應用。未來伴隨研究不斷深入，我國極紫外光刻膠技術成熟度將獲得進一步提升。
雖然極紫外光刻膠應用前景廣闊，但其行業(yè)發(fā)展仍面臨諸多問題亟待解決。一方面，極紫外光刻膠需能夠承受高能極紫外光源照射，對于靈敏度以及耐熱性有極高要求，目前我國具備其自主研發(fā)及生產實力的企業(yè)數量極少；另一方面，極紫外光刻膠在制備過程中易產生大量廢氣，對環(huán)境造成污染。
新思界
行業(yè)分析人士表示，極紫外光刻膠作為高性能光刻膠，在先進半導體制造過程中應用較多，未來伴隨下游行業(yè)發(fā)展速度加快，我國極紫外光刻膠行業(yè)景氣度將有所提升。目前，我國極紫外光刻膠行業(yè)尚處于起步階段，未來伴隨研究深入、技術進步，其商用化進程將有所加快。
