按照曝光波長不同，光刻膠可分為離子束光刻膠、電子束光刻膠、X射線光刻膠、深紫外光刻膠、紫外光刻膠以及極紫外光刻膠。極紫外光刻技術是一種先進半導體光刻技術，通常采用13.4納米波長的紫外線作為光源。極紫外光刻膠又稱EUV光刻膠，具有化學穩定性好、熱穩定性佳、敏感性高等優勢，是一種專用于極紫外光刻技術中的光刻膠。
根據新思界產業研究中心發布的《
2024-2029年中國極紫外光刻膠（EUV光刻膠）行業市場深度調研及發展前景預測報告》顯示，極紫外光刻膠主要應用于極紫外光刻技術中，集成電路領域為其主要需求端。受益于技術進步，我國大規模及超大規模集成電路市場占比不斷提升，產品在滿足本土市場需求的同時，遠銷海外眾多國家。未來伴隨下游行業發展速度加快，極紫外光刻膠市場空間將進一步擴展。
我國極紫外光刻膠行業尚處于起步階段，以實驗室研發為主，未實現商業化應用。目前，我國已布局極紫外光刻膠行業研發賽道的企業及科研單位包括中國科學院理化技術研究所、中國科學院化學研究所、九峰山實驗室、大連理工大學、華中科技大學、清華大學、廣東粵港澳大灣區黃埔材料研究院、科華微電子等。
2024年3月，我國華中科技大學科研團隊與九峰山實驗室研究人員合作，共同開發出雙非離子型光酸協同增強響應技術（CAP），使用該技術制成的極紫外光刻膠具有線邊緣粗糙度低、光穩定性好、分辨率高等優勢，有望在半導體連續化制造過程中獲得應用。未來伴隨研究不斷深入，我國極紫外光刻膠技術成熟度將獲得進一步提升。
雖然極紫外光刻膠應用前景廣闊，但其行業發展仍面臨諸多問題亟待解決。一方面，極紫外光刻膠需能夠承受高能極紫外光源照射，對于靈敏度以及耐熱性有極高要求，目前我國具備其自主研發及生產實力的企業數量極少；另一方面，極紫外光刻膠在制備過程中易產生大量廢氣，對環境造成污染。
新思界
行業分析人士表示，極紫外光刻膠作為高性能光刻膠，在先進半導體制造過程中應用較多，未來伴隨下游行業發展速度加快，我國極紫外光刻膠行業景氣度將有所提升。目前，我國極紫外光刻膠行業尚處于起步階段，未來伴隨研究深入、技術進步，其商用化進程將有所加快。
