氧化鎵單晶襯底應(yīng)用前景廣闊 本土企業(yè)自主研發(fā)實(shí)力不斷提升

        氧化鎵單晶襯底，又稱Ga₂O₃單晶襯底，指以新型寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵（Ga₂O₃）制成的襯底。氧化鎵單晶襯底具備擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、禁帶寬度高、熱穩(wěn)定性好、紫外光透過率高、‌可加工性好等優(yōu)勢(shì)，在功率電子器件、射頻器件以及光電器件等領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景。

        氧化鎵單晶襯底制備方法包括導(dǎo)模法、垂直布里奇曼法（VB）、直拉法（CZ）、浮區(qū)法（FZ）以及邊緣定義薄膜進(jìn)給法（EFG）等。垂直布里奇曼法具備生產(chǎn)成本低、工業(yè)穩(wěn)定性好、成品質(zhì)量好等優(yōu)勢(shì)，目前已在氧化鎵單晶襯底制備過程中獲得廣泛應(yīng)用；直拉法為氧化鎵單晶襯底傳統(tǒng)制備方法，適用于大尺寸產(chǎn)品。未來隨著技術(shù)進(jìn)步，氧化鎵單晶襯底行業(yè)發(fā)展速度有望加快。

        根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025年中國(guó)氧化鎵單晶襯底市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報(bào)告》顯示，氧化鎵單晶襯底在眾多領(lǐng)域擁有廣闊應(yīng)用前景，主要包括功率電子器件、射頻器件以及光電器件等。在功率電子器件領(lǐng)域，氧化鎵單晶襯底可用于新能源汽車充電器、高壓直流輸電系統(tǒng)以及光伏逆變器中。未來隨著下游行業(yè)景氣度提升，我國(guó)氧化鎵單晶襯底市場(chǎng)空間有望擴(kuò)展。

        在行業(yè)發(fā)展初期，全球氧化鎵單晶襯底核心技術(shù)被日本壟斷，代表企業(yè)為日本NCT公司、日本FOX公司等。日本NCT為全球最早具備氧化鎵單晶襯底自主研發(fā)及生產(chǎn)實(shí)力的企業(yè)，目前已實(shí)現(xiàn)6英寸型氧化鎵單晶襯底規(guī)模化生產(chǎn)。在本土方面，與日本相比，我國(guó)氧化鎵單晶襯底行業(yè)起步較晚，但發(fā)展勢(shì)頭迅猛，已有多家企業(yè)布局其行業(yè)研發(fā)賽道，主要包括富加鎵業(yè)、鎵仁半導(dǎo)體、銘鎵半導(dǎo)體等。

        富加鎵業(yè)專注于氧化鎵單晶材料、氧化鎵襯底及外延片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其基于自主研發(fā)的MOCVD同質(zhì)外延技術(shù)制得的氧化鎵單晶襯底性能優(yōu)異，質(zhì)量已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。鎵仁半導(dǎo)體已掌握100毫米（010）面氧化鎵單晶襯底核心制備技術(shù)，產(chǎn)品具備熱導(dǎo)率高、外延匹配度高等優(yōu)勢(shì)。

        新思界行業(yè)分析人士表示，近年來，隨著技術(shù)進(jìn)步，我國(guó)氧化鎵單晶襯底行業(yè)發(fā)展速度有望加快。在應(yīng)用領(lǐng)域方面，采用氧化鎵單晶襯底制成的功率電子器件具備導(dǎo)通損耗低、可承受更高電壓及電流等優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用前景廣闊。目前，我國(guó)企業(yè)已具備氧化鎵單晶襯底自主研發(fā)實(shí)力，未來其國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品市場(chǎng)占比有望提升。

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