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          硅通孔CMP漿料(TSV拋光液)市場(chǎng)空間廣闊 安集科技為我國(guó)代表性企業(yè)

          2025-08-11 17:29      責(zé)任編輯:周圓    來(lái)源:www.heb-baidu.cn    點(diǎn)擊:
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          硅通孔CMP漿料(TSV拋光液)市場(chǎng)空間廣闊 安集科技為我國(guó)代表性企業(yè)

            硅通孔CMP漿料,也稱TSV拋光液,可以對(duì)硅通孔(TSV)進(jìn)行拋光。硅通孔(TSV),一種3D先進(jìn)封裝技術(shù),穿過(guò)硅基板使硅片內(nèi)部垂直電氣互聯(lián),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)晶圓堆疊,能夠在提高芯片性能的同時(shí)減少芯片占用空間,是解決摩爾定律失效問(wèn)題的重要技術(shù)手段之一。
           
            化學(xué)機(jī)械拋光(CMP),是實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化的關(guān)鍵技術(shù),進(jìn)而穩(wěn)定/提高光刻質(zhì)量。CMP過(guò)程中需要采用多種設(shè)備與耗材,其中,CMP漿料(CMP拋光液)是重要組成部分,其性能直接影響晶圓表面質(zhì)量與芯片良率。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,CMP工藝不可或缺,硅通孔作為先進(jìn)封裝技術(shù)的一種,CMP工藝被大量使用。
           
            根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2029年全球及中國(guó)硅通孔CMP漿料(TSV拋光液)行業(yè)研究及十五五規(guī)劃分析報(bào)告》顯示,由于硅通孔技術(shù)使用銅、鎢、二氧化硅、氮化硅等導(dǎo)電物質(zhì)來(lái)填充硅通孔實(shí)現(xiàn)垂直電氣互聯(lián),CMP漿料需要兼顧多種材料的拋光,因此硅通孔CMP漿料通常為復(fù)合拋光液,例如采用Cu/SiO2拋光液來(lái)去除銅、二氧化硅,采用SiO2/CeO2拋光液來(lái)去除二氧化硅、氮化硅。不同CMP漿料之間物理化學(xué)性質(zhì)存在差異,硅通孔CMP漿料作為復(fù)合拋光液,其開(kāi)發(fā)時(shí)需要考慮產(chǎn)品的化學(xué)兼容性與穩(wěn)定性。與傳統(tǒng)CMP漿料相比,硅通孔CMP漿料技術(shù)含量更高。
           
            為提高芯片計(jì)算與存儲(chǔ)能力,芯片工藝制程不斷縮小,同時(shí)3D封裝技術(shù)應(yīng)用比例不斷提高。從工藝制程來(lái)看,芯片工藝制程越小,CMP工藝步驟越多,同時(shí)對(duì)CMP漿料的穩(wěn)定性要求越高;從封裝技術(shù)來(lái)看,由2D封裝向3D封裝發(fā)展,晶圓堆疊層數(shù)增加,也增多了CMP工藝步驟。而隨著CMP工藝步驟增長(zhǎng),CMP漿料使用量增大,因此與傳統(tǒng)CMP漿料相比,硅通孔CMP漿料需求量更多。
           
            由于晶圓上下兩面均存在電氣連接需求,在硅通孔技術(shù)中,硅通孔CMP漿料不僅應(yīng)用在正面拋光方面,還存在背面拋光需求,以滿足金屬布線、電氣互聯(lián)、減薄等需求,這進(jìn)一步增大了硅通孔CMP漿料的使用量。同時(shí),硅通孔CMP漿料先使用大顆粒研磨劑粗拋以降低晶圓厚度偏差,再使用小顆粒研磨劑精拋以暴露銅柱,并且,硅通孔還存在孔洞側(cè)壁拋光需求,硅通孔CMP漿料還需要能夠均勻滲透并清除孔內(nèi)殘留?偟膩(lái)看,與傳統(tǒng)CMP漿料相比,硅通孔CMP漿料發(fā)展空間更為廣闊。
           
            新思界行業(yè)分析人士表示,2024年,全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模同比增速超過(guò)20%;目前我國(guó)已有企業(yè)例如大港股份控股孫公司采用TSV技術(shù)提供晶圓級(jí)封裝服務(wù)。在此背景下,我國(guó)硅通孔CMP漿料行業(yè)前景廣闊。我國(guó)代表性硅通孔CMP漿料研制廠商是安集科技,可以提供用于先進(jìn)封裝的硅通孔(TSV)拋光液。
           
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