硅通孔CMP漿料（TSV拋光液）市場(chǎng)空間廣闊 安集科技為我國(guó)代表性企業(yè)

　　硅通孔CMP漿料，也稱TSV拋光液，可以對(duì)硅通孔（TSV）進(jìn)行拋光。硅通孔（TSV），一種3D先進(jìn)封裝技術(shù)，穿過(guò)硅基板使硅片內(nèi)部垂直電氣互聯(lián)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)晶圓堆疊，能夠在提高芯片性能的同時(shí)減少芯片占用空間，是解決摩爾定律失效問(wèn)題的重要技術(shù)手段之一。

 

　　化學(xué)機(jī)械拋光（CMP），是實(shí)現(xiàn)晶圓表面納米級(jí)平坦化的關(guān)鍵技術(shù)，進(jìn)而穩(wěn)定/提高光刻質(zhì)量。CMP過(guò)程中需要采用多種設(shè)備與耗材，其中，CMP漿料（CMP拋光液）是重要組成部分，其性能直接影響晶圓表面質(zhì)量與芯片良率。在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，CMP工藝不可或缺，硅通孔作為先進(jìn)封裝技術(shù)的一種，CMP工藝被大量使用。

 

　　根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2029年全球及中國(guó)硅通孔CMP漿料（TSV拋光液）行業(yè)研究及十五五規(guī)劃分析報(bào)告》顯示，由于硅通孔技術(shù)使用銅、鎢、二氧化硅、氮化硅等導(dǎo)電物質(zhì)來(lái)填充硅通孔實(shí)現(xiàn)垂直電氣互聯(lián)，CMP漿料需要兼顧多種材料的拋光，因此硅通孔CMP漿料通常為復(fù)合拋光液，例如采用Cu/SiO2拋光液來(lái)去除銅、二氧化硅，采用SiO2/CeO2拋光液來(lái)去除二氧化硅、氮化硅。不同CMP漿料之間物理化學(xué)性質(zhì)存在差異，硅通孔CMP漿料作為復(fù)合拋光液，其開(kāi)發(fā)時(shí)需要考慮產(chǎn)品的化學(xué)兼容性與穩(wěn)定性。與傳統(tǒng)CMP漿料相比，硅通孔CMP漿料技術(shù)含量更高。

 

　　為提高芯片計(jì)算與存儲(chǔ)能力，芯片工藝制程不斷縮小，同時(shí)3D封裝技術(shù)應(yīng)用比例不斷提高。從工藝制程來(lái)看，芯片工藝制程越小，CMP工藝步驟越多，同時(shí)對(duì)CMP漿料的穩(wěn)定性要求越高；從封裝技術(shù)來(lái)看，由2D封裝向3D封裝發(fā)展，晶圓堆疊層數(shù)增加，也增多了CMP工藝步驟。而隨著CMP工藝步驟增長(zhǎng)，CMP漿料使用量增大，因此與傳統(tǒng)CMP漿料相比，硅通孔CMP漿料需求量更多。

 

　　由于晶圓上下兩面均存在電氣連接需求，在硅通孔技術(shù)中，硅通孔CMP漿料不僅應(yīng)用在正面拋光方面，還存在背面拋光需求，以滿足金屬布線、電氣互聯(lián)、減薄等需求，這進(jìn)一步增大了硅通孔CMP漿料的使用量。同時(shí)，硅通孔CMP漿料先使用大顆粒研磨劑粗拋以降低晶圓厚度偏差，再使用小顆粒研磨劑精拋以暴露銅柱，并且，硅通孔還存在孔洞側(cè)壁拋光需求，硅通孔CMP漿料還需要能夠均勻滲透并清除孔內(nèi)殘留�？偟膩�(lái)看，與傳統(tǒng)CMP漿料相比，硅通孔CMP漿料發(fā)展空間更為廣闊。

 

　　新思界行業(yè)分析人士表示，2024年，全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模同比增速超過(guò)20%；目前我國(guó)已有企業(yè)例如大港股份控股孫公司采用TSV技術(shù)提供晶圓級(jí)封裝服務(wù)。在此背景下，我國(guó)硅通孔CMP漿料行業(yè)前景廣闊。我國(guó)代表性硅通孔CMP漿料研制廠商是安集科技，可以提供用于先進(jìn)封裝的硅通孔（TSV）拋光液。

 

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