四(二甲胺基)鉿，也稱四(二甲氨基)鉿、四(二甲基氨基)鉿，英文簡稱TDMAH或TDMAHf，分子式C8H24HfN4，分子量354.793，CAS號19782-68-4，外觀為無色至淡黃色結(jié)晶固體狀，對眼睛、皮膚有腐蝕性，密度1.098g/mL，熔點26-29℃，沸點60℃，閃點43℃，易燃燒，遇水劇烈反應(yīng)釋放出易燃?xì)怏w，存儲需密封并遠(yuǎn)離火種、熱源。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2025年中國四（二甲胺基）鉿（TDMAH）市場專項調(diào)研及企業(yè)“十五五規(guī)劃”建議報告》顯示，四(二甲胺基)鉿是一種鉿基薄膜前驅(qū)體材料，可以利用化學(xué)氣相沉積法（CVD）、原子層沉積法（ALD）在基底材料上沉積得到二氧化鉿薄膜、氮化鉿薄膜，也可以與其他前驅(qū)體材料配合使用，在襯底上沉積得到稀土摻雜氧化鉿薄膜，例如Ce:HfO2薄膜，進而能夠應(yīng)用在半導(dǎo)體、存儲器、功率器件等制備領(lǐng)域，還可以應(yīng)用在光學(xué)涂層、納米復(fù)合材料等制備方面。
鉿基薄膜具有高介電常數(shù)特點，可以制備得到厚度更薄的膜層，作為晶體管柵極介電層材料使用時，能夠避免傳統(tǒng)硅基薄膜介電層因過薄而導(dǎo)致的柵極直接隧穿漏電問題，可以滿足小尺寸晶體管制造需求，進而滿足芯片行業(yè)技術(shù)發(fā)展要求。在芯片性能不斷提高、尺寸不斷縮小背景下，四(二甲胺基)鉿作為鉿基薄膜前驅(qū)體材料，在替代傳統(tǒng)硅基薄膜前驅(qū)體材料方面發(fā)展前景廣闊。
在我國，四(二甲胺基)鉿制備方法相關(guān)專利申請數(shù)量不斷增多，主要有南京大學(xué)“四(二甲胺基)鉿的合成方法”，浙江博瑞電子科技有限公司“一種四(二甲氨基)鉿的制備方法”與“一種四(二甲氨基)鉿的精制方法”，合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司“一種四(二甲胺基)鉿的制備方法”等。
其中，浙江博瑞電子科技有限公司“一種四(二甲氨基)鉿的制備方法”專利，是在有機溶劑存在下，在正丁基鋰提供的堿性環(huán)境中，以二甲基胺、四氯化鉿為原料，添加催化劑進行脫酸反應(yīng)，制備得到四(二甲氨基)鉿，具有方法簡單、原料利用率高、反應(yīng)速度快、收率高、產(chǎn)物純度高等特點。
新思界
行業(yè)分析人士表示，我國四(二甲胺基)鉿市場布局企業(yè)主要有南京大學(xué)材料MO源研究開發(fā)中心、江蘇南大光電材料股份有限公司、合肥安德科銘半導(dǎo)體科技有限公司等。2025年5月，江西華特電子化學(xué)品有限公司華特電子永修半導(dǎo)體新材料中試基地項目環(huán)境影響報告書擬批準(zhǔn)公示，一期建設(shè)項目中包括四(二甲氨基)鉿生產(chǎn)線。我國四(二甲胺基)鉿生產(chǎn)能力還在不斷提升。
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