銅CMP拋光液，是指在半導體產(chǎn)業(yè)中應用在銅及銅阻擋層化學機械拋光領域的漿料。其中，銅是指芯片內(nèi)部電氣互連的銅線，銅阻擋層是指銅與周圍絕緣介質之間的薄膜，以防止銅擴散。
在半導體產(chǎn)業(yè)中，從130nm芯片工藝制程起，憑借優(yōu)異的導電、導熱性能，銅互連技術開始應用在集成電路制造中，帶動銅CMP拋光液需求逐步攀升。為超越摩爾定律限制，芯片封裝技術由2D封裝向3D封裝發(fā)展，晶圓堆疊使得銅互聯(lián)層數(shù)不斷增加，拉動銅CMP拋光液需求隨之不斷增長。
銅CMP拋光液主要采用以納米二氧化硅為研磨劑，或者以納米氧化鋁為研磨劑的二氧化硅CMP拋光液/氧化鋁CMP拋光液，通過化學腐蝕與機械研磨來對銅表面進行平坦化，并去除多余的銅，同時防止劃痕產(chǎn)生，以提高銅互連層、銅阻擋層的可靠性，下游應用領域主要包括晶圓代工、芯片制造，最終實現(xiàn)邏輯芯片、存儲芯片的生產(chǎn)。
對比來看，二氧化硅CMP拋光液可用于層間介質層化學機械拋光領域，優(yōu)點是分散性好、拋光選擇性高，缺點是拋光速率較低；氧化鋁CMP拋光液可用于銅線、薄膜材料拋光領域，優(yōu)點是研磨劑硬度大、拋光速率高，缺點是分散穩(wěn)定性較差、拋光易產(chǎn)生劃痕。
為滿足不斷提高的計算與存儲需求，芯片工藝制程不斷縮小，銅化學機械拋光工藝要求隨之不斷提升，銅CMP拋光液作為此工藝過程中的一種關鍵耗材，其研磨劑顆粒的粒徑、研磨劑在溶液中的分散度與濃度、純度等要求不斷提高，拉動銅CMP拋光液技術含量不斷攀升。
根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的
《2025-2029年全球及中國銅CMP拋光液行業(yè)研究及十五五規(guī)劃分析報告》顯示，2024年，全球晶圓代工市場規(guī)模同比增速超過20%。2024年，全球銅CMP拋光液市場規(guī)模約為5.4億美元；預計2024-2030年，全球銅CMP拋光液市場年復合增長率為5.6%；預計發(fā)展到2030年，全球銅CMP拋光液市場規(guī)模將達到7.5億美元左右。中國晶圓代工市場規(guī)模增速高于全球平均水平，銅CMP拋光液市場增長空間更大。
新思界
行業(yè)分析人士表示，在海外市場中，銅CMP拋光液生產(chǎn)商主要有美國卡博特微電子（Cabot Microelectronics）、德國默克（Merck KGaA）、日本富士膠片（Fujifilm Corporation）等；在我國市場中，銅CMP拋光液生產(chǎn)商主要有安集微電子科技（上海）股份有限公司、北京國瑞升科技集團股份有限公司、上海新安納電子科技有限公司等。
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