活性金屬釬料是一種具有一定粘合性的混合膏狀材料，可以用于陶瓷與陶瓷、金屬與陶瓷、金屬與C/C復合材料、金屬與先進陶瓷基復合材料等材料的直接釬焊及真空電子封裝等。
活性金屬釬料主要用于AMB陶瓷覆銅基板制造。陶瓷覆銅基板工藝主要包括直接鍵合銅（DBC）法、直接電鍍銅（DPC）法、活性金屬釬焊（AMB）法、激光火花金屬（LAM）等。活性金屬釬焊（AMB）工藝，是在DBC技術的基礎上發展而來，利用活性釬料將陶瓷板和金屬銅箔釬焊在一起，從而實現陶瓷與金屬異質鍵合。
AMB是陶瓷覆銅板金屬化的重要生產工藝，基于AMB工藝的陶瓷覆銅基板具有可靠性好、結合強度高等優勢，適用于連接器或對電流承載大、散熱要求高的場景。活性金屬釬料是AMB陶瓷覆銅板的核心之一，其成分、釬焊工藝等因素極大地影響著AMB陶瓷覆銅板的可靠性。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025-2029年活性金屬釬料行業市場供需現狀及行業經營指標深度調查分析報告》顯示，AMB陶瓷覆銅板廣泛應用在新能源汽車、風力發電、軌道交通、光伏、5G通信等領域，近年來，隨著以上領域發展，AMB陶瓷覆銅板市場需求不斷釋放，進一步帶動了活性金屬釬料市場發展。
活性金屬釬料中的活性元素常以Ti、Zr、Hf、Nb等元素引入，在AMB工藝中，常用的活性金屬釬料包括AgCuTi系、AgSnTi系、AgCuNi系、AgCuInTi系、AgCuSnTi系等，其中AgCuTi系活性釬料是目前研究較多、應用較廣泛的活性金屬釬料。
AgCuTi系活性釬料主要制成膏狀、粉末、合金片、箔帶、絲狀等。AgCuTi系活性釬料潤濕性良好，但由于Ti易于團聚，AgCuTi系活性釬料加工性能較差，目前主要制備方法包括熔煉軋制法、粉末冶金法、層狀復合法等。
國外對活性金屬釬料的制備研究較早，技術較為成熟，長期占據高端活性金屬釬料市場主要份額。近年來，在國產替代背景下，我國活性金屬釬料制備水平不斷提升，其中浙江亞通新材料股份有限公司自主研發的“第三代半導體陶瓷覆銅用AgCuTi活性釬料”可直接用于高性能AMB陶瓷覆銅基板的制造，攻克了國外長期壟斷的難題。
新思界
行業分析人士表示，活性金屬釬料是第三代半導體陶瓷基板AMB覆銅技術的關鍵材料，市場需求空間廣闊。但受工藝、設備等限制，國產活性金屬釬料多難以滿足高質量釬焊要求，未來我國還需優化活性金屬釬料制備加工技術，逐步實現高端活性金屬釬料國產替代，進一步提升軌道交通、新能源汽車、風力發電等行業的國際競爭力。
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