四(二甲氨基)鋯，也稱四(二甲胺基)鋯、四(二甲基銨)鋯，英文簡稱TDMAZ或TDMAZr，Cas號19756-04-8，化學式C8H24N4Zr，分子量267.527，外觀為淡黃色至綠色結晶固體狀，對眼睛、皮膚有刺激性，熔點57-60℃，沸點80℃，閃點65℃，易燃燒，遇水劇烈反應釋放出易燃氣體，存儲需充惰性氣體密封并遠離火種、熱源。
芯片集成度提高、尺寸縮小，晶體管尺寸隨之減小，當晶體管柵介質厚度減薄至2nm以下時，傳統采用二氧化硅（SiO2）薄膜制備的柵介質層與硅襯底之間的界面勢壘易出現電子直接隧穿問題。二氧化鋯（ZrO2）薄膜具有高介電常數特征，可用作晶體管柵介質材料，在顯著降低漏電量的同時能夠保持高電容，可以替代傳統二氧化硅薄膜使用。
在我國市場中，以四(二甲氨基)鋯布局機構與企業主要有南京大學、蘇州源展材料科技有限公司、江西華特電子化學品有限公司等。從產品供應方面來看，南京大學材料MO源研究開發中心官網展示的自主產品中包括四(二甲氨基)鋯。從產能擴建方面來看，2025年5月，江西華特電子化學品有限公司華特電子永修半導體新材料中試基地項目環境影響報告書擬批準公示，一期建設項目中包括四(二甲氨基)鋯生產線。
新思界
行業分析人士表示，從技術方面來看，南京大學申請有“四(二甲胺基)鋯的合成方法”專利，在氬氣氣氛下，以正己烷為溶劑，以二甲胺為原料，滴加正丁基鋰，在低溫條件下攪拌進行反應，再加入四氯化鋯進行反應，經減壓蒸餾得到產品，此法原料易得、操作簡單、成本較低；蘇州源展材料科技有限公司申請有“四(二甲氨基)鋯的合成方法”專利，在保護氣氛下，將四氯化鋯與烷烴溶劑混合，低溫條件下加入二甲胺進行反應，再加入二烷基胺進行反應，經減壓蒸餾得到產品，此法降低原料成本、提高生產安全性、縮短生產周期。
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