四(二甲氨基)鈦，也稱四(二甲胺基)鈦，英文簡稱TDMAT，分子式為C8H24N4Ti，分子量為224.17，CAS號為3275-24-9，常溫下外觀為黃色透明液體狀，對眼睛與皮膚有刺激性，吸入有害，密度0.947g/cm3，熔點4℃，沸點50℃，可溶于醇、苯、四氯化碳等有機溶劑，高度易燃，遇水劇烈反應釋放出易燃氣體，需密封存儲并遠離火種、熱源、氧化劑。
四(二甲氨基)鈦是鈦基薄膜前驅體。四(二甲氨基)鈦在穩定性、蒸氣壓、反應性等方面表現良好，是熱門的原子層沉積（ALD）工藝前驅體材料。原子層沉積工藝可以沉積單原子薄膜，操作簡單、參數易于控制、沉積均勻性高，在半導體領域應用價值大，主要應用領域包括晶體管柵極介電層。
根據新思界產業研究中心發布的
《2025年中國四（二甲氨基）鈦（TDMAT）市場專項調研及企業“十五五規劃”建議報告》顯示，以四(二甲氨基)鈦為前驅體，利用原子層沉積技術在襯底表面可以沉積得到二氧化鈦（TiO2）薄膜。二氧化鈦薄膜具有高介電常數特征，可以替代傳統的二氧化硅薄膜，應用在晶體管柵極介電層制備中，能夠進一步縮小晶體管尺寸并保持晶體管性能。在芯片尺寸不斷縮小背景下，四(二甲氨基)鈦市場前景廣闊。四(二甲氨基)鈦的薄膜沉積工藝也可以采用化學氣相沉積法（CVD），也可以沉積得到氮化鈦（TiN）薄膜。
近年來，我國企業在四(二甲氨基)鈦生產工藝方面申請的專利數量不斷增多，主要有浙江博瑞電子科技有限公司的“一種四(二甲氨基)鈦的制備方法”、“一種四(二甲氨基)鈦的新型制備方法”、“一種四(二甲氨基)鈦的精制方法”，蘇州欣溪源新材料科技有限公司的“四(二甲氨基)鈦的合成方法”等。
2025年，我國四(二甲氨基)鈦產能規劃建設規模還在擴大。浙江先導微電子科技有限公司集成電路關鍵材料基地產業化擴建項目中，第二批次將建設形成金屬前驅體220.6t/a生產能力，其中包括四(二甲氨基)鈦產能30噸/年；江西華特電子化學品有限公司華特電子永修半導體新材料中試基地項目中，一期建設項目17個，包括四(二甲氨基)鈦生產線。
新思界
行業分析人士表示，現階段我國市場中，在官網中展示有四(二甲氨基)鈦產品的機構與企業主要有南京大學材料MO源研究開發中心、江蘇南大光電材料股份有限公司、合肥安德科銘半導體科技有限公司、安徽博泰電子材料有限公司、蘇州源展材料科技有限公司等。
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